IQE030N06NM5CG
综述
OptiMOS™ 低压功率 MOSFET 30 V 采用 PQFN 3.3x3.3 源极底置封装，具有行业领先的RDS(on) 和卓越的热性能
IQE030N06NM5CG 是英飞凌对创新性 源极底置 技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置 概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括 电机驱动、 电信、 SMPS 或 服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。
特征描述
- 与现有技术相比，RDS(on) 大幅降低30%
- 采用 PQFN 封装技术后RthJC 改善
- 可获得标准栅极和置中栅极尺寸
- 优化后的新布局
优势
- 实现最高的功率密度和性能
- 卓越的热性能
- 优化布局，有效利用面积
- 简化采用置中栅极尺寸的多个 MOSFET 并行配置
- 降低 PCB 损失
- 降低寄生参数
潜在应用
周边/配套产品
质量
支持
