IRF3546M
综述
60A双集成电源模块。两对高性能控制和同步 MOSFET。25V 四路 N 通道 HEXFET Power MOSFET
优势
- 峰值效率在 1.2V 下高达 94%
- 两对控制和同步 MOSFET，采用单一 PQFN 封装。
- 专有封装大程度地降低了封装的寄生效应，简化了PCB布局
- 输入电压 (VIN) 范围：4.5V 到21V
- 输出电流能力为 30A/相
- 超低 Rg MOSFET 技术可最大限度地降低开关损耗，从而优化高频性能
- 具有单片集成肖特基二极管的同步 MOSFET 可减少死区时间和二极管反向恢复损耗
- 有效双面冷却
- 小型 6mm x 8 mm x 0.9mm PQFN 封装
- 无铅，符合 RoHS 封装
- FastIRFET™
潜在应用
- 台式机和工作站
- 图形板
- 多相 PowIRstage
- 服务器和存储
质量
支持
