IRF6798M
综述
25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MX 封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为37 A。
优势
- 符合 RoHS
- 100% 经过接地电阻测试
- 纤薄外形（小于0.7毫米）
- 双面冷却
- 低通态损耗
- 针对高频开关进行了优化
- 低封装电感
- 集成单片肖特基二极管
潜在应用
- MultiPhase SyncFET
质量
支持
