IRF7450
综述
200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
优势
- 符合 RoHS
- 具有业内先进的品质
- 经过充分验证的雪崩电压和电流
- 低栅漏电荷,可降低开关损耗
- 经过充分验证的的电容,包括有效的Coss以简化设计
质量
支持
200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
优势