IRF7807Z
综述
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
优势
- 符合 RoHS
- 具有业内先进的品质
- 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
- 经过充分验证的雪崩电压和电流
- 超低的栅极阻抗
质量
支持
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
优势