IRF8910

综述

20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

优势

  • 符合 RoHS
  • 低 RDS(on)
  • 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
  • 超低的栅极阻抗
  • 双 N 通道 MOSFET
质量

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支持