IRFH4213D

综述

25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 5mm x 6mm PQFN 封装

优势

  • 低 RDS(ON) （低于1.35 mOhms）
  • 具有低正向压降的本征肖特基二极管
  • 对 PCB 的热阻低（低于 1.3°C/W）
  • 纤薄外形（小于0.9 毫米）
  • 符合行业标准的引脚
  • 与现有表面封装技术兼容
  • 符合 RoHS ， 无卤素
  • 符合MSL1，工业认证
  • FastIRFET™

潜在应用

 

  • MultiPhase SyncFET
  • 载荷点 SyncFET
质量

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