IRFH4226
综述
25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6 B 封装
优势
- 低电荷控制 MOSFET (典型为 16 nC )
- 低 RDS(ON) (低于2.4 mOhms)
- 对 PCB 的热阻低(低于 2.7 °C/W)
- 纤薄外形(小于0.9 毫米)
- 符合行业标准的引脚
- 与现有表面封装技术兼容
- 符合 RoHS , 无卤素
- 符合MSL1,工业认证
- FastIRFET™
质量
支持