IRFH7190
综述
100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6 B/E 封装
优势
- 低 RDS(ON) (低于 7.5mOhms),导致更低的通态损耗
- 内部缓冲器,降低了Vds 尖峰,改善了EMI
- 对 PCB 的热阻低(低于1.2°C/W),导致功率密度增加
- 100% 经过接地电阻测试,增强可靠性
- 纤薄外形(小于1.05 毫米),导致功率密度增加
- 符合行业标准的引脚,兼容多个供应商
- 与现有表面封装技术兼容,更容易制造
- 符合 RoHS , 无卤素,更加环保
- MSL 1 增强可靠性
- FastIRFET™
质量
支持