IRFI3306G
综述
60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 Full-Pak封装
优势
- 改善栅极, 雪崩以及动态 dV/dt 坚固性
- 经过充分验证的电容和雪崩安全工作区（ SOA）
- 增强的体二极管dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅
- 无卤素
质量
支持
