IRFI4019HG-117P
综述
150V 双个 N 通道数字化音频 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 Full-Pak(Iso)无铅且无卤素封装
优势
- 符合 RoHS
- 低 RDS(on)
- 双 N 通道 MOSFET
- 集成半桥封装
- 针对 D 类音频放大器应用进行了优化
- 低Qrr，可提高THD效率并改善效率
- 低Qg和Qsw，可提高THD效率并改善效率
质量
支持
