IRL60HS118
综述
适用于低 VGS 的新逻辑电平 MOSFET
英飞凌的新型逻辑电平功率MOSFET有三种不同的电压等级（60 V，80 V和100 V），非常适合无线充电，通信和适配器应用。PQFN 2x2封装特别适用于高速开关和外形尺寸重要的应用。它可以实现更高的功率密度和更高的效率以及显著的空间节省。VGS
特征描述
- 极低的FOM (RDS(on) x Qg/gd)
- 优化Q g ，C oss和Q rr，实现快速切换
- 逻辑电平兼容
- 微型PQFN 2 x 2 mm 封装
优势
- 极小的封装尺寸
- 更高的功率密度设计
- 更高的开关频率
- 5 V 供电可用时即可减少器件数量
- 微控制器直接驱动（慢开关）
- 降低系统成本
潜在应用
视频
质量
支持
