IRL8114

综述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

优势

  • 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
  • 低栅极电荷
  • 经过充分验证的电容和雪崩安全工作区（ SOA）
  • 无铅
质量

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