IRLH5036

综述

60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 PQFN 封装

优势

  • 低 RDS(ON) (低于5.5 mOhms @ Vgs = 4.5V) 降低通态损耗
  • 对 PCB 的热阻低（低于 2.7°C/W） 实现更好地散热
  • 100% 经过接地电阻测试，增强可靠性
  • 纤薄外形（小于0.9 毫米），导致功率密度增加
  • 符合行业标准的引脚，兼容多个供应商
  • 与现有表面封装技术兼容，更容易制造
  • 更加环保，符合 RoHS，无铅，无溴，无卤素
  • MSL 1 符合工业认证，增强可靠性

潜在应用

  • 电池驱动
  • 隔离式初级侧 MOSFET
  • 隔离式次级侧SyncRec MOSFET

 

质量

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支持