ISC010N06NM5
综述
SSO8 封装型 OptiMOS™ 5 单 N 沟道功率 MOSFET 60 V,1.05 mΩ,330 A
英飞凌 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 60 V 采用 SuperSO8 封装 (ISC010N06NM5),具备低导通电阻 RDS(on)(25˚C 和 175˚C 下)和高连续电流(可达 330 A)。英飞凌 OptiMOS™ 3 和 5 产品系列新增 SuperSO8 封装型 OptiMOS™ MOSFET,器件功率密度和稳健性更高,可降低系统成本并增强性能。低反向恢复电荷 (Qrr) 将大幅降低电压过冲,因此无需使用吸收电路,进而可减少工程成本和工作量,提高系统可靠性。
特征描述
- 极低的 RDS(on)(25˚C 下)
- 低 RthJC
- 低反向恢复电荷 (Qrr)
- 工作温度可高达 175°C
优势
- 低导通损耗、高功率密度和效率
- 并联更少,可降低系统成本
- 低电压过冲
- 优异的热性能
潜在应用
质量
支持