ISC011N06LM5
综述
采用小型封装的 60V Optimos™ 5 逻辑电平功率 MOSFET
ISC011N06LM5 为采用 SuperSO8 封装的英飞凌 OptiMOS™ MOSFET，该器件进一步完善了 OptiMOS™ 5 和 3 产品系列，在增强稳健性之余，还提高了功率密度以满足对低系统成本和高性能的需求。
低反向恢复电荷 (Qrr) 可大幅降低电压过冲，提高系统可靠性，因此无需缓冲电路，降低了工程成本和工作量。
特征描述
- 最大 RDS(on) 低至 1.15 MΩ，可显著提高功率密度和效率
- 工作温度额定值升至 175°C，可靠性更强
- RthJC 较低，热性能优异
- 更低的反向恢复电荷 (Qrr)
优势
- 更低的满载温度
- 减少并联
- 电压过冲降低
- 系统功率密度增加
- 小型封装
- 降低系统成本
- 降低工程成本和工作量
潜在应用
质量
支持
