ISC012N04LM6
综述
OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 40 V 逻辑电平,采用 SuperSO8 封装
特征描述
- 逻辑电平栅极驱动能力
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 175 °C 额定结温
- 100% 经过雪崩测试
- 符合 IEC61249-2-21 标准,无卤素
- 针对同步应用进行优化
优势
- 灵活的栅极驱动
- 最高系统效率
- 增加运行裕度
- 稳健、可靠的性能
- 环保型产品
- 增加功率密度和极低的电压过冲
潜在应用
质量
支持