ISC030N10NM6
综述
采用 SuperSO8 封装的正常电平 100 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET
正常电平 ISC030N10NM6 OptiMOS™ 6 系列 100 V 器件在分立式功率 MOSFET 领域树立了全新技术标准。英飞凌最新的 OptiMOS™ 6 100 V 技术采用专有的新型技术，可实现更高的功率密度、效率和耐用性。
相较于替代产品，英飞凌的领先薄晶圆技术显示出卓越性能优势。
英飞凌 100 V OptiMOS™ 6 工业功率 MOSFET 旨在用于高开关频率应用，如电信和服务器电源，亦适用于太阳能、电动工具和无人机等应用。
与前代 OptiMOS™ 5 技术相比，SuperSO8 封装型 MOSFET 的导通电阻 (RDS(on)) 降低了近 20%，品质因数（FOM - RDS(on) x Qg 和 Qgd）改善了 30%。设计人员由此即可提高产品效率，简化热设计，减少并联，进而降低系统成本。
特征描述
相较于 OptiMOS™ 5，新技术具备以下优势：
- RDS(on) 降低近 20%
- FOMg 改善了 30%，FOMgd 改善 40%
- 更低更弱的反向恢复电荷 (Qrr)
- 非常适合高开关频率
- 根据 J-STD-020 标准，具备湿敏等级 (MSL) 1 级
- 175 °C 额定结温
- 高雪崩能量
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
优势
- 低传导损耗
- 低开关损耗
- 快速导通/关断
- 更少并联需求
- 稳健可靠
- 环保
- 更少并联需求
潜在应用
质量
支持
