IST026N10NM5

综述

OptiMOS™ 5功率MOSFET 100 V，2.6 mOhm，248 A，采用sTOLL-7x8 mm2功率MOS封装

IST011N06NM5 OptiMOS™ 5功率MOSFET 100V采用sTOLL封装，具有低至2.6 mOhm的 RDS(on) 和248 A的大电流能力。它具有英飞凌众所周知的高质量水平和强大的工业封装，是您在电池管理系统 ，轻型电动汽车和 工业机器人应用中实现各种性能的理想解决方案。

改进的RDS(on) 和持续以及脉冲ID  额定值，实现更长的电池运行时间和更高的功率密度。

特征描述

  • JEDEC注册器件
  • 7x8 mm² 小尺寸封装
  • 248 A大电流能力
  • 无铅封装，最大限度地降低封装电阻和杂散电感
  • 最新一代技术OptiMOS™ 5
  • RDS(on) 低至2.6 mOhm
  • 引脚尖端检测功能（自动光学检测功能）

优势

  • 高功率和电流密度
  • 高热容量
  • 减少传导损耗
  • 优化切换行为
  • 与传统DPAK/D2PAK 相比，具有更小的外形尺寸
  • 工业标准封装（JEDEC MO-319A）

潜在应用

质量

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支持