OptiMOS™ 6 功率MOSFET 150 V

综述

将驱动器和 SMPS 应用的性能提升到一个新水平

新型 OptiMOS™ 6 150 V 技术专为满足从电信和服务器 SMPS 到电动叉车和 LEV 以及太阳能优化器和大功率 USB 充电器等各种应用的要求而设计。

OptiMOS™ 6 150 V 具有业界最低的  RDS(on)、更高的开关性能和出色的 EMI 性能，与前代产品 OptiMOS™ 5 相比，在效率、功率密度和可靠性方面都有显著提高。

关键特征
  • RDS(on) 最高可降低41%比OptiMOS™ 5
  • FOMg 比OptiMOS™ 5降低20%
  • FOMgd 比OptiMOS™ 5降低17%
  • 150 V下的行业最低Qrr
  • 与OptiMOS™ 5相比改善的二极管柔软度
  • Vgs(th) spread of +/-500 mV
  • 高雪崩强度
  • 最高温度（Tj）175°C和MSL1
  • 硬开关和软开关的导通和开关损耗低
  • 稳定运行，改善 EMI，减少过冲
  • 并联时电流分担得到改善
  • 坚固性增强
  • 使用寿命更长，系统可靠性更高
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