OptiMOS™ 7 15 V

英飞凌推出业界首款采用全新 OptiMOS™ 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。 这种系统和应用优化技术专用于服务器和计算应用中输出低电压的 DC-DC 转换。

与 OptiMOS™ 5 25 V 相比，较低的击穿电压导致 RDS(on) 和 FOM_Qg/FOM_Qoss 显着降低。 一流的产品组合包括 PQFN 3.3x3.3 Source-Down 封装（具有底部和双侧冷却变体，采用标准栅极和中心栅极封装，可实现灵活和最佳的 PCB 设计）以及带有加固夹的 PQFN 2x2 封装 。 后者提供超过 500 A 的脉冲电流能力，R_thJC 为 1.6 K/W。 与 Source-Down 封装相结合，减少传导和开关损耗，简化热管理，将功率密度和效率提升到一个新的水平。

该产品系列实现了一次飞跃，可支持数据中心配电架构的发展新趋势，例如： 高比率 DC-DC 转换，可进一步升级服务器、数据通信和人工智能应用，同时最大限度地减少二氧化碳排放。