SuperSO8 DSC – PQFN 5x6 with dual-side cooling
综述
OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V-150 V 采用 SuperSO8 DSC 封装,采用双面散热技术,增强了热性能
OptiMOS™ 6 40 V和 OptiMOS™ 5 40 V-150 V 功率 MOSFET 采用 SuperSO8 DSC(双面散热)封装,具有双面散热解决方案的所有热管理优势,采用行业标准封装。
使用底部散热解决方案(如 SuperSO8、PQFN 5x6)时,MOSFET 产生的大部分热量会传递到 PCB,由于其热阻大,因此 PCB 温度会升高。而双面散热解决方案增加了另一条散热路径(底部通过 PCB 散热,顶部通过外露铜夹片和散热片散热),以消散 MOSFET 芯片中产生的热量。
在 MOSFET 芯片所产生的热量中,约有 30% 的热量通过顶部传递,而传递到 PCB 的热量较少。因此,
- PCB 可以在相同功耗下以更低的温度工作,提高了可靠性,
- 或者 MOSFET 可以处理更多的功率以实现更高的功率密度。
OptiMOS™ 功率 MOSFET 采用 SuperSO8 DSC 封装,是众多应用的理想选择,如电动和 园艺工具、 服务机器人和自动引导车 (AGV)、 电信电源和 服务器电源。
特征描述 | 优势 | 潜在应用 |
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