IPD19DP10NM
综述
正常电平 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂度
DPAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、负载开关和反极性保护应用的全新技术。P 沟道器件的主要优势在于降低中低功率应用的设计复杂度。此类产品可轻松连接 MCU，开关速度快且雪崩能力强，尤其适合质量要求高的应用。器件支持正常电平，具备较宽的 RDS(on) 范围和低 Qg，低负载下效率较高。
特征描述
- 4 种不同标准封装可供选择
- 较宽的 RDS(on) 范围
- 支持正常电平和逻辑电平
- 针对诸多应用领域进行优化
优势
- 行业标准封装
- 尤为适合高和低开关频率
- 轻松连接至 MCU
- 具备低 Qf，低负载下效率较高
- 降低设计复杂度
- 高能效
潜在应用
质量
支持
