IPP330P10NM
综述
TO-220 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET
TO-220 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、负载开关和反极性保护应用的全新技术。P 沟道器件的主要优势在于降低中低功率应用的设计复杂度。此类产品可轻松连接 MCU，开关速度快且雪崩能力强，尤其适合质量要求高的应用。器件支持正常电平，具备较宽的 RDS(on) 范围和低 Qg，低负载下效率较高。
特征描述
- 非常适合高和低开关频率
- 雪崩能力强
- 行业标准尺寸的表面贴装封装
- 分销商可大量供货
优势
- 应用广泛
- 稳健可靠
- 采用标准引脚，可作为直接替代品
- 电源安全性强
潜在应用
质量
支持
