IMBF170R1K0M1
综述
采用TO-263-7封装的1700V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET
CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
特征描述
- 针对反激式拓扑结构进行了优化
- 开关损耗极低
- 兼容反激式控制器的12 V / 0 V栅源电压
- 完全可控的dV/dt，针对EMI进行优化
- SMD（表面贴装）封装具有增大的爬电距离和电气间隙（> 7 mm）
优势
- 1700 V SiC MOSFET能实现简单高效的单端反激式拓扑结构，适用于辅助电源
- SMD（表面贴装）封装便于直接集成于PCB，能实现自然对流冷却，无需额外的散热器
- 由于产品封装的爬电距离和电气间隙增大，隔离工作量减少
- 降低系统复杂性
- 高功率密度
图表
支持
