IMBG120R053M2H CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 采用TO-263-7分立器件封装
综述
这款第二代1200 V、53 mΩ CoolSiC™ MOSFET采用D2PAK-7L（TO-263-7）分立器件封装，它在第一代技术优势的基础上进行了改进，可加快系统设计，提供更经济、高效、紧凑且可靠的解决方案。第二代技术在应用于硬开关和软开关拓扑结构的关键性能方面做出了显著改进，适用于各种常见的AC-DC、DC-DC和DC-AC级组合。
特征描述
- RDS(on)= 52.6 mΩ，VGS = 18V，Tvj = 25°C
- 非常低的开关损耗
- 过载时结温（Tvj）可达200°C
- 可承受2 µs的短路
- 基准栅极阈值电压VGS(th) = 4.2V
- 具有坚固耐用的体二极管，适用于硬换向
- 采用.XT互连技术，可实现优异的热性能
优势
- 更好的能源效率
- 优化散热
- 提高了功率密度
- 新的鲁棒性特点
- 高度可靠
图表
支持
