IMBG120R350M1H
综述
采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET
是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 350 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。
特征描述
- 极低的开关损耗
- 短路能力：3 µs
- dV/dt完全可控
- 栅极阈值电压典型值：VGS(th) = 4.5 V
- 出色的抗寄生导通能力，能够实现0V关断
- 牢固的体二极管，可用于硬开关
- .XT互联技术，实现一流的热性能
- 封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm
- Sense引脚，优化了开关性能
优势
- 提高效率
- 实现更高的工作频率
- 增加功率密度
- 减少冷却工作
- 降低系统复杂程度和成本
- SMD封装，无需增设散热器，即可实现自然对流冷却，因此可直接集成到PCB中
图表
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