IMBG65R039M1H
综述
SMD紧凑型封装SiC MOSFET
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性能、稳健性和易用性等独特优势。IMBG65R039M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。
特征描述
- 低 Qrr 和 Qoss
- 低开关损耗
- 换向稳健型快速体二极管
- 先进沟槽技术带来出色的栅极氧化物可靠性
- 采用 .XT 互连技术，实现卓越的热性能
- 雪崩能力更强
- SMD 封装，可直接集成至 PCB
- 用于优化开关性能的感测引脚
优势
- 高性能、高可靠性且易于使用
- 高系统效率和高功率密度
- 降低系统成本和复杂度
- 打造成本更低、结构更简单且尺寸更小的系统
- 采用连续硬换向拓扑
- 适于高温和恶劣的工作环境
- 实现双向拓扑
潜在应用
培训
质量
支持
