IMW120R045M1

综述

采用TO247-3封装的CoolSiC™ 1200V 碳化硅沟槽 MOSFET

1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装， 基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具可靠性与性能优势。与IGBT和MOSFET等基于传统硅（Si）的开关相比，碳化硅MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

特征描述

  • 出色的开关和导通损耗
  • 基准高阈值电压，Vth > 4 V
  • 0V 关断栅极电压，可简单轻松地进行栅极驱动
  • 栅源电压范围宽
  • 稳健且低损耗的体二极管，适用于硬换向
  • 开关关断损耗不受温度影响

优势

  • 最高效率
  • 减少了冷却需求
  • 提高了操作频率
  • 提高了功率密度
  • 降低了系统的复杂程度
Product image of SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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