FF17MR12W1M1H_B11 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC™ MOSFET
综述
EasyDUAL™ 1B 1200 V, 17 mΩ 半桥模块采用了第一代增强型CoolSiC™ MOSFET、集成式 NTC 温度传感器和 PressFIT 压接技术。
特征描述
- 12 毫米高的同类最佳封装
- 将领先宽禁带材料与 Easy 模块封装相结合
- 模块杂散电感极低
- 较宽的反偏安全工作区 (RBSOA)
- 采用第一代增强型沟槽技术的1200 V CoolSiC™ MOSFET
- 建议栅极驱动电压窗口增大：从 +15 扩展至 +18 V，从 0 V 扩展至 -5 V
- 扩展的最大栅-源电压：+23 V 和 -10 V
- 过载条件下工作结温 Tvjop 高达 175°C
- PressFIT 引脚
- 集成 NTC 温度传感器
优势
- 出色的模块效率，实现系统成本优势
- 提高系统效率，降低冷却需求
- 支持更高频率，提高功率密度
- 最佳性价比，有助降低系统成本
图表
支持
