FF8MR12W1M1H_B70 1200 V CoolSiC™ MOSFET半桥模块
综述
这款第一代1200 V，8 mΩ EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET半桥模块采用集成的NTC温度传感器、PressFIT压接技术和氮化铝陶瓷材料。
特征描述
- 同类最佳高度：12.25 mm
- 先进的宽禁带（WBG）半导体材料
- 非常低的模块杂散电感
- 增强的第一代CoolSiC™ MOSFET
- 更大的栅极驱动电压范围
- 电压范围：15至18V，以及0至-5 V
- 扩展的最大栅源电压
- 栅源电压：+23 V和-10 V
- 工作结温（Tvjop）：过载条件下高达175°C
- 集成了NTC温度传感器
优势
- 优异的模块效率
- 系统成本优势
- 提升系统效率
- 降低散热需求
- 可实现更高的频率
- 提高功率密度
- DCB材料的导热率
- 更好的DCB材料导热率
图表
视频
Customers of power electronics require ever more modern, easy connection technologies, which also provide a higher reliability to meet the trends to higher temperatures and new applications.
支持
