BTM7710G
综述
BTM7710G 是Trilith IC系列的一部分,三个裸片集成在一个封装中:一个双高边开关和两个低边开关。这三个垂直DMOS芯片的漏极安装在分离的引线框架上。源连接到各个引脚上,因此BTM7710G可用于H桥以及任何其他配置。双高边采用SMARTSIPMOS®技术制造,该技术将低R DS ON垂直DMOS功率级与CMOS电路相结合,用于控制,保护和诊断。为实现低R DS ON和快速开关性能,低边开关采用S-FET逻辑电平技术制造。
特征描述
- 四路D-MOS开关驱动器
- 可自由配置为桥接或四通道转换
- 针对直流电机管理应用进行了优化
- 低 R DSON 高边: 典型值70mΩ @ 25°C,最大180mΩ @ 150°C低边:典型值40mΩ @ 25°C,最大80mΩ @ 150°C
- 峰值电流:典型值15 A @ 25°C
- 超低关断消耗:典型值 5 µA @ 25 °C
- 小封装类型,增强型功率PG-DSO封装
- 工作电压高达 40 V
- 负载和接地短路保护
- 具有迟滞的过温断关断
- 具有迟滞的欠压感测
- 状态标志诊断
- 内置箝位二极管
- 用于外部电流感测的隔离源
- 环保产品(符合 RoHS)
- AEC 认证
潜在应用
- 电机驱动
支持