欢迎使用英飞凌 Power MOSFET 仿真模型 英飞凌 Power MOSFET 模型采用 PSpice 仿真代码撰写,并进行测试、验证。所有功率器件的模型都根据其电压等级和产品技术,汇集在专用的库文件中。 虽然模型可以用作评估器件性能的实用工具,但其无法在所有情况下都对的性能进行精确建模,而且模型的目的不是为了替代测试板,所以最终验证。因此,英飞凌不承担因使用模型而产生的任何责任。仿真模型由 SIMetrix™ Pspice 仿真器评估。 Introduction to Infineon's Simulation Models: Power MOSFETsShare 01_00 | Nov 30, 2015 | PDF | 701 kb
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