BGA7H1N6

综述

LTE 硅锗低噪声放大器

特征描述

插入功率增益：12.5 dB
低噪声系数：0.60 dB
低电流消耗：4.7 mA
运行频率：2300 - 2690 MHz
电源电压：1.5 V 到 3.3 V
数字开启/关断开关( 1V逻辑高电平)
极小的 TSNP-6-2 无铅封装 (封装尺寸: 0.7 x 1.1 mm2)
B7HF 锗硅技术
射频输出内部与 50Ω 匹配
只需1个外部 SMD 部件
2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
无铅，符合 (RoHS )封装

支持