BGS12PN10

综述

BGS12PN10 是一款单刀双掷（SPDT）高线性度，高功率 RF 开关，针对高达 6.0 Ghz 的移动电话应用进行了优化。该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，该逻辑由一个简单的兼容 CMOS 或 TTL 的控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，0.1 dB压缩点超出了开关的最大输入功率水平，从而在所有信号电平下实现了线性性能。只有在外部施加直流电压时才需要 RF 端口的外部直流隔离电容器。

 

BGS12PN10 支持UL (B1 + B3 )、( B2+B4 )、DL-CA (B4 + B12 )和SV-LTE (B5 + B13 )的关键频段组合。该设备可处理高达38 dBm的非常高的发射信号电平，同时低损耗以节省电池功率。超高线性度器件对系统灵敏度有重大影响。例如，整个RF前端的线性度提高3 dBm，信噪比提高6 dB。因此，数据速率提升高达40 %，例如：实现了从20 Mbps (QAM16 4/5 )到33 Mbps (QAM64 4/5 )的跨越。BGS12PN10 是所有频率的优质 ISO 和 IL 性能的代表。

 

 

特征描述

  • 最高射频功率: 38 dBm
  • 两个超低损耗端口：◦0.17 dB @ f=0.9 GHz, PIN=38dBm
    • 0.22 dB @ f=1.9 GHz, PIN=38dBm
    • 0.26 dB @ f=2.7 GHz, PIN=33dBm
    • 0.37 dB @ f=3.6 GHz, PIN=33dBm
    • 0.68 dB @ f=5.8 GHz, PIN=33dBm
  • 如果没有外部 DC应用于 RF 端口，则不需要 DC去耦电容器
  • 高静电放电可靠性
  • 低谐波产生
  • 高线性度：75dBm IIP3
  • 无需电源阻断
  • 电源电压范围：1.8 到 3.6V
  • 电源电压范围内无插入损耗变化
  • 电源电压范围内无线性变化
  • 覆盖 0.5 至 6.0 GHz
  • 小巧外形规格：1.1 mm x 1.5 mm
  • 400 µm 的焊点间距
  • 封装符合 RoHS 和 WEEE

潜在应用

  • 适用于EDGE / C2K / LTE / WCDMA / SV-LTE
  • 移动蜂窝 Rx/Tx 应用
  • 针对主路径和整个 RF 前端进行了优化，在移动通信中没有任何功率限制：◦DL/UL CA 和 MIMO
    • HPUE 26dBm 器件（高功率 Tx）
    • 微型/Pico cell/蜂窝基站
    • 测试设备

 

支持