BGS13S4N9
综述
BGS13S4N9 RF MOS 开关专为电话和移动应用而设计。3个端口中的任意一个端口均可用作分集天线处理的终端，最高可处理30dBm。它具有出色的1kV ESD稳健性。
该 SP3T 在天线端口提供的插入损耗低，抗干扰稳健性高，在终端模式下的谐波产生较低。片上控制器集成了 CMOS 逻辑移位寄存器和电平移位寄存器，由 1.35 V 至 VDD 的控制输入驱动。
BGS13S4N9 射频开关采用英飞凌专利的CMOS技术制造，具有经济性和传统CMOS集成性能，可提供GaAs的性能。
特征描述
- 3 个高线性度收发路径，功率处理能力高达 30 dBm
- 极小的尺寸架构 ，1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm
- 低插入损耗@ 2.7GHz 0.55 dB
- 低谐波产生
- 端口到端口的高度绝缘
- 覆盖 0.1 至 3.0 GHz
- 包括 ESD 保护的片上控制逻辑
- GPIO 控制接口
- 无需电源阻断
- 高电磁抗扰度 (EMI) 可靠性
- 封装符合 RoHS 和 WEEE
潜在应用
RF CMOS开关专为Edge / CDMA2000 / LTE / WCDMA应用而设计
支持
