BFP640ESD

综述

BFP640ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，采用塑料双发射极标准封装，带有可用引线。该器件具有内部保护电路，增强静电放电和高射频输入功率稳健性。器件将稳健性与低工作电流下的极高射频增益和极低噪声系数相结合，适用于各种无线应用。BFP640ESD 特别适用于便携式电池供电应用，此类应用中降低功耗是一项关键要求。器件设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。

特征描述

  • 稳健的高性能低噪声放大器，基于英飞凌可靠的大容量 SiGe:C 晶圆技术
  • 集成保护电路，实现 2 kV 静电放电稳健性 (HBM)
  • 最大射频输入功率高达 21 dBm
  • 1.5 Ghz 条件下最小噪声系数典型值为 0.65 dB，2.4 GHz、6 mA 条件下为 0.7 dB
  • 1.5 GHz 条件下最大增益 Gms 典型值为 26.5 dB，2.4 GHz、30 mA 条件下为 23 dB
  • 2.4 GHz、30 mA 条件下 OIP3 典型值为 27 dBm
  • 精准 SPICE GP 型号可用，支持有效设计（参见第 6 章）
  • 易用、无铅无卤素（符合 RoHS）标准封装，带有可见引线

潜在应用

作为低噪声放大器 (LNA)，适用于：

  • 移动、便携和固定连接应用：WLAN 802.11a/b/g/n、WiMax 2.5/3.5/5GHz、UWB、蓝牙
  • 用于卫星通信系统：导航系统（GPS、格洛纳斯）、卫星广播 (SDAR、DAB) 和 C 频段 LNB
  • 多媒体应用，比如移动/便携电视、有线电视、调频广播
  • 3G/4G UMTS/LTE 手机应用
  • RKE、AMR 和 Zigbee 等 ISM 应用以及新兴无线应用作为分立有源混频器、放大器，用于 VCO 和缓冲放大器
支持