BFP843F
综述
BFP843F 是一种低噪声宽带预匹配异质结双极晶体管 (HBT)。
特征描述
- 高端射频性能和稳健性的独特组合：最大射频输入功率为 20 dBm，静电放电硬度为 1.5kV
- 高转换频率 fT=60 Ghz，可在高频下实现同类产品中出色的噪声系数：NFmin = 1.1 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 8 mA
- 高增益，5.5 GHz、1.8 V、15 mA 条件下 Gms = 18 dB
- OIP3 = 19.5 dBm@ 5.5 GHz, 1.8 V, 15 mA
- 低电压应用的理想之选，例如，VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V, 3.3 V, 3.6 V 要求对应的集电极电阻）
- 低电压应用的理想之选，例如，VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V, 3.3 V, 3.6 V 要求对应的集电极电阻）
潜在应用
- 无线通信：WLAN、WiMAX 和蓝牙
- 卫星通信系统：卫星广播 (SDAR、DAB)、导航系统（例如 GPS、格洛纳斯、北斗、伽利略）
低噪声宽带预匹配双极射频晶体管
特征描述
- 低噪声宽带 NPN RF 晶体管，基于英飞凌可靠的大容量 SiGe:C 双极技术
- 高数值的最大射频输入功率和 ESD 鲁棒性，20 dBm 最大射频输入功率，1.5 KV HBM ESD 硬度
- 高射频性能、鲁棒性和易于应用电路设计的独特组合
- 低噪声系数：NFmin = 0.95 dB@2.4 GHz；1.1 dB@5.5 GHz, 1.8 V, 8 mA
- 的高增益|S21|2 = 21.5 dB@2.4 GHz；16.5 dB@5.5 GHz, 1.8 V, 15 mA
- OIP3 = 22.5 dBm@2.4 GHz；20 dBm@5.5 GHz, 1.8 V, 15 mA
- 低电压应用的理想之选，例如，VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V, 3.3 V, 3.6 V 要求对应的集电极电阻）
- 低功耗，是移动应用的理想选择
- 薄型扁平无铅（符合 RoHS）和无卤素封装，带有可见引线
- 根据AEC-Q101提供的认证报告
潜在应用
作为低噪声放大器 (LNA)，适用于
- 无线通信: WLAN IEEE802.11b,g,n,a,ac 单/双频带应用，宽带 LTE 或 WiMAX LNA
- 卫星导航系统 （例如 GPS、格洛纳斯、北斗...）和卫星 C 频段 LNB（一级和二级 LNA）
- 宽带放大器：双频带 WLAN，多频带手机，UWB 高达 10 Ghz
- 频带 ISM 高达 10 GHz
- 专用短程通信 (DSRC) 系统 WLAN IEEE802.11p
支持
