Infineon präsentiert die ersten integrierten Dual LDMOS-Leistungsverstärker; Ideal geeignet für Doherty-Architektur und kompakte Verstärker in Mobilfunk-Applikationen

Neubiberg und Boston, USA, 9. Juni 2009. Auf dem IEEE MTT-S International Microwave Symposium in Boston hat die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) heute die erste Baureihe mit integrierten Dual LDMOS-Leistungsverstärkern für Basisstationen von Mobilfunknetzen vorgestellt. Die neuen Komponenten vereinen zwei LDMOS-Verstärker in einem Gehäuse und bieten zwei unterschiedliche Ausgangsleistungen (power stages), sodass sie sich ideal für Doherty-Verstärker sowie kompakte Designs eignen, die kleine Bauformen erfordern.

Zwei der neuen Komponenten arbeiten im Frequenzbereich von 1800 – 2200 MHz für WCDMA-, LTE- und TD-SCDMA-Applikationen und liefern eine Ausgangsleistung von 30 W oder 40 W. Die dritte Variante arbeitet im Frequenzbereich von 700 – 1000 MHz für WCDMA-, LTE- und GSM/EDGE-Applikationen und erreicht eine Ausgangsleistung von 30 W.

Die Dual-Verstärker eignen sich besonders gut für Doherty-Architekturen, die separate Haupt- und Spitzenverstärker einsetzen, um die für 3G- und 4G-Systeme erforderlichen Leistungen zu erzielen. Die neuen integrierten Dual LDMOS-Leistungsverstärker erfüllen mit ihrer kompakten Bauform die aktuellen Anforderungen der Branche für den Multi-Carrier-Betrieb an einem Standort. Die erforderlichen Multi-Carrier- und Multi-Band-Amplifier-Designs Werden zudem von breitbandigen (Wide RF) Modulationsverfahren unterstützt.

„Mit einem energieeffizienten Design können Betreiber von Basisstationen die Anforderungen der Mobilfunkbetreiber für grüne Infrastrukturlösungen erfüllen“, kommentiert Helmut Vogler, Vice President und General Manager für RF Power bei der Infineon Technologies AG. „Diese neuen integrierten Verstärker unterstützen innovative Designs und ermöglichen sowohl geringeren Stromverbrauch als auch kompakte Bauformen.“

Details der neuen Komponenten

Zwei der neuen Komponenten sind in gegossenen Kunststoffgehäusen mit jeweils 20 Anschlüssen verfügbar, eine in einem hochleistungsfähigen, thermisch optimierten Open-Cavity-Gehäuse. Die typischen Leistungswerte der neuen Komponenten von Infineon im Überblick:

• PTMA080304M, für GSM/EDGE-Applikationen mit 28V und 960 MHz, Verstärkung von 30 dB und Wirkungsgrad von 28 Prozent bei 2 x 6 W Ausgangsleistung.

• PTMA210304M, für eine 2-Carrier WCDMA-Applikation mit 28V und 2140 MHz, 2 x 3 W Ausgangsleistung, Verstärkung von 29 dB, Wirkungsgrad von 22 Prozent und ACPR-Wert (Adjacent Channel Power Ratio) von -48 dBC.

• PTMA210404FL, Doherty-basiertes Design für ein 6-Carrier TD-SCDMA-System mit 28 V, 2017 MHz, PAR-Wert von 7,5 dB und durchschnittlich 10 W Ausgangsleistung, Verstärkung von 27 dB, 35 Prozent Wirkungsgrad und ACLR-Wert von -34dBc.

Die Varianten PTMA080304M und PTMA21034M sind in gegossenen Kunststoffgehäusen mit jeweils 20 Anschlüssen verfügbar. Die Variante PTMA21040FL ist in einem thermisch optimierten Open-Cavity-Gehäuse verfügbar. Alle Varianten sind ROHS-konform und befinden sich bereits in der Produktion.

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 29.100 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2008 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt „OTCQX International Premier“ unter dem Symbol "IFNNY" notiert.