Infineon setzt bei der Leistungswandlung mit neuen OptiMOS™-Bausteinen in 200V und 250V erneut Maßstäbe für Industrie-, Heimelektronik- und Telekommunikationsanwendungen

Neubiberg, 13. Januar 2010 – Die Energieeffizienz von 48V-Systemen, DC-DC-Wandlern, Unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) sowie Invertern in Gleichstrom-Antrieben lässt sich mit den neuen OptiMOS™ Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies erneut erhöhen. Infineon erweitert seine OptiMOS-Familie um 200V- und 250V-Produkte. Mit ihren im Vergleich zu Wettbewerbsprodukten geringsten FOM-Werten (Figure of Merit, Produkt aus Durchlasswiderstand und Gate-Ladung) halbieren die 200V- und 250V-OptiMOS-Leistungshalbleiter die Leitungsverluste von Systemen.

Während Entwickler für 48V-Systeme bisher eine Dioden-basierte Gleichrichterstufe in den Schaltnetzteilen (SMPS) einsetzen mussten, haben sie mit Infineons OptiMOS-Produkten eine Alternative, die den Gesamtwirkungsgrad auf 95 Prozent erhöht. Das ist zwei Prozent höher als bisher und bedeutet eine Verringerung der Leistungsverluste um 30 Prozent. Damit erfüllt Infineon die steigenden Anforderungen an eine bessere Energieeffizienz insbesondere in Telekommunikations- und Netzwerksystemen, wo Anbieter durch eine „grüne“ Infrastruktur wirtschaftliche und Marktvorteile anstreben.

„Infineons OptiMOS-Technologie setzt immer wieder Maßstäbe in Schlüsselspezifikationen für Leistungssysteme, insbesondere bei Durchlasswiderstand und FOM, und trägt wesentlich zu geringeren Verlusten und besserer Effizienz bei“, sagte Andreas Urschitz, Vice President und General Manager in der Division Industrial & Multimarket bei Infineon Technologies. „Durch kontinuierliche Fortschritte bei Fertigungsprozess und Gehäusetechnik können wir die OptiMOS-Produktfamilie um höhere Spannungsklassen erweitern und damit zur Verbesserung der Energieeffizienz als eine der zentralen Herausforderungen der modernen Gesellschaft beitragen.“

Die 200V- bzw. 250V-Produkte der OptiMOS-Familie bieten einen Durchlasswiderstand R _DS(on), der um 50 Prozent geringer als der vergleichbarer Bauelemente ist, und damit geringste Leistungsverluste für Hochstrom-Anwendungen. Die industrieweit niedrigsten Gate-Ladungen (Q _g) – bis zu 35 Prozent weniger als bei vergleichbaren Produkten – tragen ebenfalls zu den geringen Verlusten und zu einem schnellen Schalten in getakteten Schaltungstopologien wie in isolierten DC-DC-Wandlern für Telekom-Anwendungen bei. Darüber hinaus ermöglichen die neuen Leistungshalbleiter eine Senkung der Systemkosten, da weniger Bauelemente parallel geschaltet werden müssen und durch die deutlich geringeren Verluste kleinere Kühlkörper genutzt werden können. Zudem ermöglicht das optimierte Schaltverhalten einen schnellen und weniger komplexen Entwicklungsprozess.

Die einzigartigen Eigenschaften der 200V- und 250V-OptiMOS-Produkte ermöglichen die Verwendung von sehr kleinen SuperSO8-Gehäusen (5 mm x 6 mm x 1 mm) für Anwendungen, die bisher größere D²PAK-Gehäuse (9 mm x 10 mm x 4,5 mm) erforderten. Der Einsatz eines SuperSO8- anstatt eines D²PAK-Gehäuses reduziert den Platzbedarf für den Leistungshalbleiter um mehr als 90 Prozent und ermöglicht Systeme mit höherer Leistungsdichte. Außerdem bieten „Leadless“-Gehäuse wie das SuperSO8 ein sehr gutes Schaltverhalten und eine bessere Effizienz.

Verfügbarkeit und Preise
Die 200V- und 250V-OptiMOS-Produkte sind bereits verfügbar, mit Varianten in TO-220-, TO-262-, D²PAK- und SuperSO8-Gehäusen sowie R _DS(on)- Klassen von 10,7 mOhm, 20 mOhm, 32 mOhm und 60 mOhm. Bei Bestellmengen von 10.000 Stück beginnen die Stückpreise bei 1,20 US-Dollar für 200V und 1,40 US-Dollar für 250V.

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 25.650 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2009 (Ende September) einen Umsatz von 3,03 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY" notiert.
Weitere Informationen unter www.infineon.com.