Neue 4,5kV-IGBT-Module von Infineon erhöhen die Energieeffizienz und reduzieren Schaltverluste

Neubiberg, 17. Mai 2011 - Infineon Technologies präsentiert auf der PCIM Europe 2011 in Nürnberg (17. bis 19. Mai) erstmals Module der Spannungsklasse 4500V. Die in den neuen 4,5kV-IHV-Modulen integrierten IGBT3/EC3-Chips sind für den Einsatz in Zugantrieben und der Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ) optimiert. Mithilfe der HGÜ-Technik kann elektrische Energie äußerst effizient über lange Strecken transportiert werden. Dank der höheren Stromdichte von Modulen mit IGBT3/EC3-Chips kann mehr Strom übertragen und höhere Ausgangsleistungen erzielt werden, ohne das bestehende Umrichter-Design zu ändern oder eine stärkere Kühlung zu benötigen.

„Die neuen 4,5kV-IHV-Module von Infineon sind deutlich energieeffizienter und weisen wesentlich geringere Schaltverluste auf. Das ist für unsere Kunden ein wichtiger technologischer Fortschritt: Vor allem für äußerst anspruchsvolle Anwendungen wie Traktion oder HGÜ-Anlagen, werden unsere IGBT-Lösungen noch robuster und langlebiger “, sagt Martin Hierholzer, Vice President und General Manager Industrial Power von Infineon Technologies.

Die neuen 4,5kV-IHV-Module kombinieren die bewährte TrenchSTOP™ und FieldSTOP™ Technologie und ergänzen die bereits verfügbaren Module von Infineon der Spannungsklassen 3300 und 6500 Volt. Während die FieldSTOP™ Struktur innerhalb des Leistungshalbleiters für eine signifikante Reduktion der Schaltverluste sorgt, begrenzt die TrenchSTOP™ Zelle aufgrund ihrer extrem niedrigen Sättigungsspannung die Durchlassverluste auf ein Minimum. Dadurch werden weniger Verluste erzeugt und damit ein geringerer Kühlaufwand benötigt, was letztendlich die Systemkosten senkt. Zu den Vorteilen der TrenchSTOP™ Technologie-Familie zählen darüber hinaus die hohe Robustheit und Kurzschlussfestigkeit, die Steigerung der Zuverlässigkeit und die niedrige elektromagnetische Interferenz (EMI).

Infineon bringt die 4,5kV-IHV-Module für IGBT3/EC3 in zwei Gehäuse-Varianten auf den Markt: Zunächst im IHM-B-Gehäuse, Nachfolger des bewährten IHM-A-Moduls mit einer Lagertemperatur bis zu minus 55°C und einer Betriebstemperatur bis zu 150°C sowie im hoch isolierten 6,5kV- Modulgehäuse. Dieses bietet mit einer Isolationsfestigkeit von 10,2kV die Luft- und Kriechwege, die vor allem in Traktions-Anwendungen gefordert werden.

Verfügbarkeit

Muster für 4500V IGBT3/EC3 im IHV-B-Gehäuse sind ab Ende 2011 und im 6,5kV-Gehäuse ab Mitte 2012 verfügbar.

Infineon Technologies präsentiert die neuen 4500V-IGBT-Module auf der Fachmesse PCIM Europe 2011 (17.-19. Mai 2011) in Nürnberg in Halle 12 auf Stand 404.

Weitere Informationen zum IGBT-Angebot von Infineon unter www.infineon.com/igbt

Weiterer Pressebericht zum Thema IGBT

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.650 ¹ Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2010 (Ende September) einen Umsatz von 3,295 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „ IFNNY“ notiert.

¹ Die Mitarbeiterzahl beinhaltet noch rund 3.500 Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter des Mobilfunkgeschäfts (Wireless Solutions), das an die Intel Corporation verkauft wurde.