Energiesparchips von Infineon senken globalen Energieverbrauch und übertreffen weltweite Standards – Infineon präsentiert innovative Power Management-Produkte und -Lösungen auf der PCIM Europe 2011

Nürnberg, 17. Mai 2011 – Unter dem Motto „Energy - the efficient way“ präsentiert Infineon Technologies auf der PCIM Europe 2011 (17. bis 19. Mai) in Nürnberg zahlreiche innovative Produkte und Lösungen, die dafür sorgen, dass elektronische Geräte und Maschinen deutlich weniger Energie verbrauchen.

Die Internationale Energieagentur (IEA) erwartet in den nächsten 20 Jahren einen Anstieg des globalen Energieverbrauchs um über 35 Prozent. Rund ein Drittel der weltweit genutzten Energie wird in Form von Elektrizität verbraucht. Diese elektrische Energie wird über weite Strecken transportiert – dabei geht oft viel Energie verloren. Der intelligente Einsatz von Leistungshalbleitern wirkt diesem Energieverlust mit einer möglichst verlustfreien Erzeugung, Verteilung und Wandlung von Energie entgegen. Auch die Energieeffizienz von elektronischen Geräten und Maschinen kann mit diesen Energiesparchips signifikant erhöht werden, um möglichst viel Energie einzusparen. Das wird mit einer ständig wachsenden Weltbevölkerung zunehmend wichtiger. Denn das Einsparen von Energie ist eine der größten verfügbaren Energie-Ressourcen.

Als weltweit führender Anbieter von Leistungshalbleitern leistet Infineon mit IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), CoolMOS™-, OptiMOS™- und SiC-Produkten einen wichtigen Beitrag, weltweit weniger Energie zu verbrauchen. Die Energiesparchips von Infineon finden sich in allen möglichen elektronischen Geräten wie Fernsehern, Computern, Netzteilen, Spielekonsolen, Servern sowie in Motoren und Maschinen.

„Mit den energieeffizienten Halbleiterlösungen von Infineon können bis zu 25 Prozent des weltweiten Stromverbrauches eingespart werden. Unsere Produkte übertreffen die globalen Energieeffizienz-Standards und bieten unseren Kunden damit einen klaren Wettbewerbsvorteil“, sagt Andreas Urschitz, Vice President & General Manager Power Management and Supply Discretes bei Infineon Technologies.

Hier die Highlights der von Infineon auf der PCIM Europe 2011 präsentierten Power Management-Produkte und -Lösungen:

Neue RC-Drives Fast IGBTs ermöglichen Wirkungsgrad von bis zu 96 Prozent bei hohen Schaltfrequenzen für kleinere und kostengünstigere Frequenzumrichter

Infineon erweitert das Produktangebot an 600V-IGBTs mit monolithisch integrierter Diode (Reverse Conducting, RC) um zwei neue Leistungsschalter, die Wirkungsgrade von bis zu 96 Prozent in den jeweiligen Zielanwendungen erreichen. Die neuen RC-Drives Fast IGBTs ermöglichen das Design von energieeffizienten Haushaltsgeräten mit Elektromotoren, welche die kleineren und effizienteren Leistungshalbleiter nutzen und damit im Vergleich zu herkömmlichen IGBTs deutlich die Systemkosten senken. Weitere Informationen unter www.infineon.com/rcdf

650V CoolMOS™ CFD2-Technologie mit integrierter schneller Body-Diode setzt neue Maßstäbe in der Energieeffizienz für Server, Solar- Wechselrichter, Beleuchtungen und Telekommunikations-Anwendungen

Die neueste Generation Hochvolt CoolMOS™ MOSFETs von Infineon setzt erneut Maßstäbe in der Energieeffizienz. Infineon präsentiert den 650V CoolMOS™ CFD2 – den weltweit ersten Hochvolt-Transistor mit 650 Volt Durchbruchspannung und einer integrierten Fast-Body-Diode. Die neuen CFD2-Bausteine sind die Nachfolgeprodukte der 600V CFD Generation und bieten deutlich verbesserte Energieeffizienz, weicheres Schaltverhalten und reduzierte elektromagnetische Interferenz (EMI). Weitere Informationen unter www.infineon.com/cfd2

OptiMOS™ mittlerer Spannungsklasse in CanPAK™ Gehäuse für energieeffiziente Leistungsumwandlung

Infineon erweitert sein Portfolio an Niedervolt Power MOSFETs, OptiMOS™, mit 60V bis 150V Produkten im CanPAK™ Gehäuse. Damit können Systementwickler Designs realisieren, die sich durch eine höhere Leistungsdichte und Effizienz sowie ein optimales Wärmeverhalten auszeichnen und dabei äußerst platzsparend sind. Im Vergleich zu gängigen Gehäusen diskreter Bausteine bietet die CanPAK™-Metall-Konstruktion die Möglichkeit für beidseitige Kühlung mit vernachlässigbaren parasitären Gehäuse-Induktivitäten. Die Vorteile des CanPAK™-Gehäuses ergänzen sich mit den Leistungsmerkmalen der OptiMOS™-Familie, die die industrieweit geringsten R _DS(on)- und Q _g-Werte über den gesamten Spannungsbereich aufweisen. Geringe Gate-Ladungen (Qg) resultieren in geringen Schaltverlusten in schnell schaltenden Anwendungen wie in DC/DC-Wandlern für Telekom-Applikationen sowie Mikroinvertern und Maximum Power Point Trackern (MPPT) in Solaranlagen. Dank der industrieweit besten R _DS(on)-Spezifikation bieten die CanPAK™-Produkte von Infineon die geringsten Leistungsverluste in Hochstrom-Anwendungen wie Motorsteuerungen. Weiter Informationen unter www.infineon.com/canpak

thinQ!™ SiC-Schottky-Dioden: höchste Effizienz im 1200V-kompatiblen TO-Gehäuse

Die zweite Generation der SiC-Schottky-Dioden von Infineon hat sich mittlerweile als Industriestandard etabliert. Nun erweitert Infineon das bisher schon breite Portfolio mit 1200V-Dioden im neuen TO-247HC (High Creepage)-Gehäuse. Das neue Gehäuse ist Layout-kompatibel zum Industrie-Standard TO-247 und kann daher problemlos in bestehenden Designs eingesetzt werden. Der längere Kriechweg erhöht die Sicherheit gegenüber Kurzschlüssen, insbesondere bei Lichtbögen, die beispielsweise durch Schmutz oder Staub im System verursacht werden können. Damit kann auf zusätzliche chemische Hilfsmittel wie Silikon-Gel oder -Creme bzw. mechanischen Schutz (Umhüllungen oder Folien) zur Verhinderung von Verschmutzungen auf den Gehäuse-Anschlüssen verzichtet werden – mit entsprechenden Vorteilen für einen einfachen und schnellen Fertigungsprozess. Die thinQ™ SiC-Schottky-Dioden sind bestens geeignet für Anwendungen in Solar-Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), Schaltnetzteilen oder Motorantrieben. Hier ermöglichen sie höchste Energieeffizienz und hohe Leistungsdichten. Weitere Informationen

Kleinsignal-MOSFETs für 60V mit Logik-Level: OptiMOS™ „606”-Familie

Infineon genießt einen ausgezeichneten Ruf für seine Kleinsignal-MOSFETs, die für die Automobilelektronik (AEC Q101) spezifiziert sind. Das entsprechende Portfolio hat Infineon jetzt mit der OptiMOS “606”-Familie mit 60V und Logik-Level (4,5 V) erweitert. Mit dem besten RDSon -Wert bei gegebener Boardfläche bieten die 60-mΩ-Bausteine eine geringe Gate-Ladung Q _g für eine höhere Effizienz bei geringen Lasten. Die Produkte sind in SOT89-, TSOP6- und SC59-Gehäusen verfügbar und prädestiniert für Anwendungen, in denen sowohl ein geringer Platzbedarf als auch eine geringe Leistungsaufnahme essentiell sind. Typische Anwendungen sind als externer Transistor (FET) für Low-Power-DC/DC-Wandler, in BECMs (Battery Energy Control Modules) von elektrischen oder Hybrid-Fahrzeugen sowie als externer FET für unterschiedliche Mikrocontroller. Weitere Informationen

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.650 ¹ Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2010 (Ende September) einen Umsatz von 3,295 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „ IFNNY“ notiert.

¹ Die Mitarbeiterzahl beinhaltet noch rund 3.500 Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter des Mobilfunkgeschäfts (Wireless Solutions), das an die Intel Corporation verkauft wurde.