Infineon stellt neue Superjunction 500V CoolMOS™ CE-Produkte für Konsumelektronik- und Beleuchtungs-Anwendungen vor: branchenweit bestes Preis-Leistungs-Verhältnis
Neubiberg, 25. April 2012 – Mit dem 500V CoolMOS™ CE bringt Infineon Technologies eine neue Generation von CoolMOS™ Superjunction-MOSFETs auf den Markt. Die neuen Produkte sind eine attraktive Alternative zu Standard-MOSFETs für die Stromversorgung in preissensiblen Anwendungen wie Beleuchtungs-Schaltnetzteilen (SMPS), PC-Silverboxen und Konsumelektronik. Der 500V CoolMOS™ CE von Infineon vereint alle Vorteile von modernen Superjunction MOSFETs: geringer flächenspezifischer Einschalt-Widerstand, verringerte Schaltverluste und eine hohe Unempfindlichkeit der Body Diode.
„Unsere Kunden können mit den neuen 500V CoolMOS™ CE-Produkten bei einem sehr attraktiven Preis-Leistungs-Verhältnis eine höhere Energieeffizienz erzielen. Das macht den 500V CoolMOS™ CE zu einer echten Alternative zu Standard-MOSFETs für die Ziel-Anwendungen“, sagt Jan-Willem Reynaerts, Leiter des Produktsegments High Voltage Power Conversion bei Infineon Technologies.
Im Vergleich zu herkömmlichen Standard MOSFETs bietet die neue CoolMOS™ CE-Produktfamilie dank der Superjunction-Technologie speziell im geringen Lastbereich einen besseren Wirkungsgrad und damit eine energie- und kosteneffiziente Alternative.
Der geringe flächenspezifische Einschalt-Widerstand (R DS(on)*A) sorgt für geringere Leitungsverluste, reduziert die in der Ausgangs-Kapazität (E oss) gespeicherte Energie und minimiert Schaltverluste. Die niedrigere Gate-Ladung (Q g) verbessert den Wirkungsgrad im niedrigen Lastbereich, ohne den Wirkungsgrad unter Volllast zu beeinträchtigen. In Kombination mit der außergewöhnlichen Qualität und Zuverlässigkeit der CoolMOS™-Technologie führt dies zu geringeren System- und Betriebskosten. Die hohe Unempfindlichkeit der Body Diode und die verringerte Speicherladung (Q rr) macht 500V CoolMOSTM CE-Produkte von Infineon ideal für resonant schaltende Anwendungen. Dank ihres gut zu steuernden Schaltverhaltens lassen sie sich einfach integrieren und bedienen.
Verfügbarkeit und Preise
Erste Muster der 500V CoolMOS™ CE-Produkte mit einem R DS(on) von 280mOhm, und 500mOhm im TO-220 Gehäuse sind ab sofort erhältlich.
Ab Mai 2012 sind dann erste Muster der 500V-Produkte mit einem R ds(on) von 280mOhm, 500mOhm und 950mOhm in den Gehäusen DPAK sowie TO-220 FullPAK erhältlich. Erste Auslieferungen an OEMs erfolgen voraussichtlich im Mai 2012.
Ein Musterbaustein (IPP50R280CE; 500V, 280mOhm in TO-220) kostet 1,12 US-Dollar pro Stück. Weitere Informationen zu den neuen 500V CoolMOS™ CE-Produkten von Infineon unter www.infineon.com/ce
Über Infineon
Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2011 (Ende September) einen Umsatz von 4 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
Informationsnummer
INFPMM201204.036
Pressefotos
-
Infineon_500V_CoolMOS_CE_DPAK
JPG | 633 kb | 2480 x 1862 px
-
Infineon_500V_CoolMOS_CE_TO-220_FullPAK
JPG | 606 kb | 2480 x 1849 px