Neues Mitglied der EiceDRIVER™-Familie: 1EDI Compact Treiber mit Coreless Transformer-Technologie für Anwendungen bis 1200 V

Neubiberg, 26. November 2013 – Die Infineon Technologies AG stellt auf der diesjährigen Fachmesse SPS IPC Drives für elektrische Automatisierung erstmals die neuen Einkanal Gate-Treiber 1EDI EiceDRIVER™ Compact für Anwendungen mit Isolationsspannungen von bis zu 1200 Volt vor. Die galvanisch isolierten Treiberbausteine sind nach der von Infineon entwickelten Coreless Transformer-Technologie aufgebaut und ermöglichen Ausgangsstromstärken bis 6 Ampere an getrennten Ausgangspins. Zur Basisausstattung gehören sowohl UVLO (under voltage lockout) für IGBT und MOSFET als auch ein erzwungener Aus-Zustand bei unversorgtem Treiber (active shutdown). Die 1EDI-Treiber werden im kompakten DSO-8-Gehäuse ausgeliefert und sind bis zu einer Umgebungstemperatur von 125°C bei Applikationen wie beispielsweise Industrieantrieben, Wechselrichtern, Schweißgeräten, Induktionskochgeräten und der Stromversorgung im Bereich Server und Telekommunikation einsetzbar.

„Mit dem 1EDI Treiber-IC bauen wir unser umfangreiches und nach Anwendungen sowie Funktionalität ausdifferenziertes Treiber-IC-Programm im Bereich Compact weiter aus. Wie schon der 2EDL so zielt auch der neue Treiberbaustein auf den breiten Markt sowohl im Consumer- wie im Industriebereich,“ sagt Oliver Hellmund, der bei Infineon für die Vermarktung der EiceDRIVER™ verantwortlich ist. „Der 1EDI Compact steht dabei für eine äußerst robuste und gleichzeitig sehr sichere Steuerung von Hochspannungs-Leistungshalbleitern. Unser Compact-Treiber-Programm deckt inzwischen sämtliche Anwendungen bei Leistungshalbleitern mit funktionaler Isolation ab.“ Die 1EDI Treiber-ICs werden in acht Varianten angeboten, die bis zu einer Spannung von 1200 Volt betrieben werden können und sowohl für Anwendungen mit IGBT als auch mit MOSFET ausgelegt sind.

Bei den neuen EiceDRIVER™-Bausteinen setzt Infineon wieder einen neuen Maßstab im Markt der Treiber-ICs: Für alle Varianten gilt ein bis dahin nicht realisierter Wert von 100kV/µs für die CMTI (common mode transient immunity). Sowohl der MOSFET- als auch ein IGBT-Treiber liefern sechs Ampere Ausgangsstromstärke. Die MOSFET-Treibervariante ist für den Einsatz mit den auf der CoolMOS™-Technologie basierenden Leistungshalbleitern optimiert. Wegen der geringeren Induktionsverluste ermöglicht der EiceDRIVER™ beim neuen C7 daher einen zusätzlichen Effizienzgewinn von bis zu 0,5 Prozent. Weitere Varianten mit 4 Ampere, 2 Ampere und 0,5 Ampere sind in Vorbereitung. Diese fünf Varianten verfügen über einen separaten Ausgang für Auf- und Entladen des Gates. Weitere drei Varianten sind mit einer Begrenzung der Gatespannung (active Miller clamp) aufgebaut und leisten 3 Ampere, 2 Ampere und 1 Ampere Ausgangsstromstärke.

Zur EiceDRIVER™-Familie gehört neben der Compact-Klasse auch die Klasse der EiceDRIVER™ Enhanced, die eine höhere Funktionalität sowohl für den Industrie- und teilweise den Consumer-Bereich bietet.

Verfügbarkeit und weitere Informationen

Muster der 1EDI EiceDRIVER™ für MOSFET und IGBT mit 6 Ampere Ausgangsstromstärke sind sofort lieferbar, ein hierzu gehörendes Customer Evaluation Board kann ab Januar 2014 bestellt werden. Der Produktionsstart dieser beiden Varianten ist für März 2014 vorgesehen. Die andern Treiber sollen als Muster im ersten Quartal 2014 zur Verfügung stehen, der Produktionsstart ist für das zweite Quartal 2014 geplant. Nähere Informationen über die gesamte Treiber-IC-Familie sind unter www.infineon.com/eicedriver zu finden. Infineon präsentiert die neuen 1EDL EiceDRIVER™ vom 26. bis zum 28. November 2013 auf der Fachmesse SPS IPC Drives in Nürnberg in Halle 1 auf Stand 328. Weitere Informationen zu den Highlight-Produkten der Messe sind ebenfalls im Internet verfügbar.

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.700 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2013 (Ende September) einen Umsatz von 3,84 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com