Infineon Technologies liefert acht Hochfrequenz-Komponenten für Premium-Smartphone Samsung Galaxy S5

Neubiberg, 15. Juli 2014 – Infineon Technologies liefert insgesamt acht Hochfrequenz-Bausteine für das Samsung Galaxy S5. Bei den LTE-Signalverstärkern (Low Noise Amplifier, LNA), Vierfach-LNA-Bänken, dem GPS-LNA sowie SPDT RF Switches entschied sich Samsung für die Produkte des deutschen Halbleiterherstellers.

„Im Smartphone-Markt herrscht eine außergewöhnlich hohe Innovationsgeschwindigkeit. Erfolgreich ist, wer binnen kürzester Zeit neue Produktgenerationen auf den Markt bringt, die mehr Funktionen integrieren und weniger Platz benötigen. Wir sind stolz darauf, dass führende Anbieter wie Samsung auf uns vertrauen, um ihren Kunden stabile Verbindungen und vielfältige Funktionen bieten zu können“ , sagte Philipp von Schierstaedt, Leiter des Geschäftsfeldes RF & Protection Devices bei Infineon Technologies.

Die LTE-LNAs und Vierfach-LNA-Bänke wurden von Infineon speziell dafür entwickelt, die Datenübertragungsrate in Smartphones gegenüber Lösungen ohne Signalverstärker um bis zu 96 Prozent zu steigern. So kann das LTE-Potenzial voll ausgeschöpft werden. Der GPS-LNA sorgt für zuverlässige Navigationsfunktion, indem er effektiv vor Störungen durch andere Signale schützt. Die SPDT RF Switches wurden ausgewählt, um die Hochfrequenzsignale im Samsung Galaxy S5 zuverlässig in die vorgesehenen Bahnen zu leiten.

Das S5 ist das neuste Model der erfolgreichen Smartphone-Reihe von Samsung. Es verfügt über zwei interne WLAN-Antennen und einen Download Booster, der durch die Kombination von LTE und WLAN herausragende Übertragungsraten erzielt. Mehr als 11 Millionen Stück des Android-basierten Telefons wurden allein im ersten Monat nach Veröffentlichung verkauft.

Infineon bietet ein breites Portfolio sowohl für mobile Endgeräte als auch für die Mobilfunkinfrastruktur. Dazu gehören Hochfrequenzbausteine, Schutzdioden, Siliziummikrofone und Chips zur Leistungssteuerung.

Das Samsung Galaxy S5 enthält folgende Bausteine von Infineon:

LTE LNA (Low Noise Amplifier)

• BGA7L1N6
• BGA7M1N6
• BGA7H1N6

Quad-band LTE LNA bank

• BGM7MLLM4L12
• BGM7LLHM4L12

GPS LNA

• BGA824N6S

SPDT RF Switches

• BGS12PL6
• BGS12SL6

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.700 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2013 (Ende September) einen Umsatz von 3,84 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com