Infineon fertigt ersten TRENCHSTOP 1200 V IGBT6 auf 300-mm-Wafer

30.07.2018 | Market News

München – 30. Juli 2018 – Die Infineon Technologies AG bringt eine neue 1200 V IGBT-Generation auf den Markt, den TRENCHSTOP™ IGBT6. Er erfüllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Als erster diskreter IGBT auf dem Markt wird das Bauteil mit Diode auf einem 300-mm-Wafer produziert. Die neue Produktfamilie wurde optimiert für den Einsatz in hart schaltenden und resonanten Topologien mit Schaltfrequenzen von 15 kHz bis 40 kHz. Typische Anwendungen für den IGBT6 sind unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Solarwechselrichter, Batterieladegeräte und Energiespeicher.

Der neue TRENCHSTOP IGBT6 ist in zwei Bauserien erhältlich. Die Serie S6 kennzeichnet eine niedrige Sättigungsspannung V CE(sat) von 1,85 V. Die Serie H6 ist ausgelegt für geringe Schaltverluste. Wie in mehreren Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerproduktes Highspeed3 durch den neuen TRENCHSTOP IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 Prozent. Der positive Temperaturkoeffizient des Bauteils ermöglicht eine einfache und zuverlässige Parallelisierung. Zusätzlich erlaubt die sehr gute R g-Regelbarkeit eine Anpassung der Schaltgeschwindigkeit des IGBTs an die Anforderungen der jeweiligen Anwendung.

Verfügbarkeit

Die neuen 1200 V TRENCHSTOP IGBT6-Familien sind im Hochvolumen erhältlich. Das Produktportfolio umfasst Produkte mit 15 A und 40 A im TO-247-3-Gehäuse, wahlweise mit Halb- oder Vollfreilaufdiode. Eine branchenführende Stromdichte für einen diskreten IGBT liefert die Variante in 75 A mit einer vollwertigen Freilaufdiode in den Gehäusen TO-247PLUS 3pin oder 4pin. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/igbt6-1200v.

Informationsnummer

INFIPC201807-069

Pressefotos

  • Die neue IGBT6-Technologie erfüllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Wie in mehreren Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerproduktes Highspeed3 durch den neuen TRENCHSTOP IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 Prozent.
    Die neue IGBT6-Technologie erfüllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Wie in mehreren Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerproduktes Highspeed3 durch den neuen TRENCHSTOP IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 Prozent.
    1200V_TRENCHSTOP_IGBT6_TO-247

    JPG | 191 kb | 1140 x 1500 px

  • Die neue IGBT6-Technologie erfüllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Wie in mehreren Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerproduktes Highspeed3 durch den neuen TRENCHSTOP IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 Prozent.
    Die neue IGBT6-Technologie erfüllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Wie in mehreren Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerproduktes Highspeed3 durch den neuen TRENCHSTOP IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 Prozent.
    1200V_TRENCHSTOP_IGBT6_TO-247PLUS-3pin

    JPG | 191 kb | 1140 x 1500 px

  • Die neue IGBT6-Technologie erfüllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Wie in mehreren Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerproduktes Highspeed3 durch den neuen TRENCHSTOP IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 Prozent.
    Die neue IGBT6-Technologie erfüllt die steigenden Anforderungen bei Leistungsschaltern nach höchster Effizienz und Leistungsdichte. Wie in mehreren Anwendungstests bestätigt, führt der direkte Austausch des Vorgängerproduktes Highspeed3 durch den neuen TRENCHSTOP IGBT6 S6 zu einer Effizienzsteigerung von 0,2 Prozent.
    1200V_TRENCHSTOP_IGBT6_TO-247PLUS-4pin

    JPG | 207 kb | 1140 x 1500 px