EiceDRIVER^TM 2ED 650 V mit integrierter Bootstrap-Diode für hervorragende Robustheit und Zuverlässigkeit

München, 6. November 2018 – Die Infineon Technologies AG stellt einen neuen 650-V-Halbbrückentreiber der EiceDriver ^TM-Familie vor. Dieser basiert auf der einzigartigen SOI-Technologie des Unternehmens. Der 2ED2304S06F integriert eine echte Bootstrap-Diode und bietet eine hohe Immunität gegen negative Transienten sowie Latch-up. In Verbindung mit einer höheren Schaltfrequenz ermöglichen diese Funktionen robustere, zuverlässigere und kleinere Systeme bei geringeren Gesamtkosten. Der Halbbrückentreiber ist ideal geeignet für große und kleine Haushaltsgeräte sowie Antriebe mit niedriger Leistung. Er bietet sich auch an für allgemeine Motorantriebe mit einer Leistung von unter 1 kW, die einen Inverter nutzen.

Der EiceDRIVER ^TM 2ED unterstützt typische Quell- und Senkströme von 360 mA bzw. 700 mA mit 310 ns und 300 ns Laufzeitverzögerungen. Er lässt sich einsetzen bei IGBT- und MOSFET-Schaltern mit einer Nennspannung von bis zu 650 V. Bei einem typischen Widerstand von 36 Ω liefert die integrierte Bootstrap-Diode eine sehr schnelle Sperrerholzeit. Die Immunität gegen transiente Spannungen (VS) von
-100 V mit Wiederholungsimpulsen gewährleistet überlegene Robustheit und zuverlässigen Motorbetrieb. Weitere Sicherheitsmerkmale sind die integrierte Totzeit mit Halbbrückenverriegelung und der unabhängige Unterspannungsschutz (UVLO) für die Hoch- und Niederspannungsversorgung.

Verfügbarkeit

Der Halbbrückentreiber ist elektrisch und funktional kompatibel mit den Vorläufergenerationen IR2304SPBF und IRS2304SPBF, die damit einfach ersetzt werden können. Der EiceDRIVER ^TM 2ED wird im Standardgehäuse DSO-8 (SOIC8) geliefert. Die Volumenproduktion hat begonnen, Muster können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/EiceDRIVER .