Infineon weitet die Serienproduktion von CoolSiC™ MOSFETs aus und beschleunigt den Rollout eines breiten Portfolios in diskreten Gehäusen

München, 7. Mai 2019 – Die Infineon Technologies AG erweitert das bestehende Produktspektrum der 1200 V CoolSiC™ MOSFET-Technologie und startet die Serienproduktion eines umfassenden Portfolios von diskreten Bauteilen. Diese sind mit Widerstandswerten von 30 mΩ bis 350 mΩ erhältlich und werden in den Gehäusen TO247-3 und TO247-4 angeboten. Das erweiterte Angebotes umfasst auch ein Portfolio in SMD-Gehäusen (Surface Mount Device) und eine Produktfamilie von 650 V CoolSiC MOSFETs, die beide in Kürze auf den Markt kommen werden. Damit begegnet Infineon der schnell wachsenden Nachfrage nach energieeffizienten SiC-Lösungen für die Stromwandlung. Systeme, die hiervon besonders profitieren, sind Batterieladeinfrastrukturen, Energiespeicherlösungen, Photovoltaik-Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Motorantriebe sowie industrielle Schaltnetzteile, etwa in Server- und Telekom-Anwendungen.

„Bei Infineon unterliegt der Produktionsstart einer neuen Basistechnologie sehr strengen Qualitätskriterien“, sagte Peter Wawer, Division President Industrial Power Control bei Infineon. „Produktionsabläufe für hohe Stückzahlen müssen im Frontend wie im Backend stabil sein, auch bei der Montage von diskreten Gehäusen. Dazu gehört die Erfassung statistischer Daten, die Produktionsüberwachung und anwendungsrelevante Prüfungen, die weit über standardisierte Testverfahren hinausgehen. Die Hochlaufphase der Basistechnologie für Siliziumkarbid-MOSFETs ist abgeschlossen, jetzt bringen wir das größte diskrete SiC-Portfolio für Industrieanwendungen auf den Markt.“

Wie die zuvor eingeführten Leitprodukte der CoolSiC MOSFET-Technologie im TO247- und Easy-Gehäuse bauen auch die neuen diskreten Bauelemente auf einem hochmodernen Halbleiterprozess für SiC MOSFETs auf. Dieses Trench-Verfahren wurde entwickelt, um zwei wesentliche Kriterien gleichzeitig zu gewährleisten: geringste Verluste in der Anwendung und höchste Zuverlässigkeit im Betrieb. Als Reaktion auf die üblichen Anwendungsfelder diskreter Bauelemente und die damit verbundenen Betriebsbedingungen der Systeme wurden für die diskreten Gehäuselösungen neue Grenzen für die Ansteuerungsspannungen am Gate möglich. Geringste dynamische Verluste definieren einen neuen Industriestandard. Sie ermöglichen höchste Effizienz mit einer einfachen unipolaren Gate-Treiber-Lösung.

Die CoolSiC-Trench-Technologie erlaubt eine besonders hohe Schwellenspannung (V _th) größer als 4 V. Gleichzeitig weist sie eine geringe Miller-Kapazität auf. Daher sind CoolSiC MOSFETs im Vergleich zu anderen SiC-MOSFETs sehr robust gegen unerwünschte parasitäre Wieder-Einschalteffekte. Zusammen mit einer nominellen Gate-Source-Einschaltspannung von +18 V mit 5 V-Marge bis zu einer maximalen Spannung von +23 V liefert der neue diskrete SiC-MOSFET von Infineon einen Effizienzvorteil. Und das nicht nur im Vergleich zu Silizium-IGBTs und Super-Junction-MOSFETs, sondern auch zu anderen SiC-MOSFETs.

Mit einer robusten, für harte Kommutierung ausgelegten Diode ermöglicht das CoolSiC MOSFET-Portfolio höchste Energieeffizienz und macht „mehr aus weniger“. Die auf SiC basierende MOSFET-Funktionalität bietet deutlich mehr Flexibilität im Systemdesign von Blindleistungskompensation (PFC), bidirektionalen Topologien und allen hart und weich schaltenden DC-DC-Konvertern oder DC-AC-Invertern.

Infineon ergänzt das Angebot von diskreten Bauelemente um eine Reihe ausgewählter Treiber-ICs, die die Anforderungen an die ultraschnellen Schaltfunktionen von SiC-MOSFET erfüllen. Gemeinsam sorgen CoolSiC MOSFETs und EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs dafür, dass die Vorteile der Technologie voll ausgeschöpft werden: Verbesserte Effizienz, Platz- und Gewichtseinsparungen, Reduzierung der Teileanzahl und eine verbesserte Systemzuverlässigkeit. Kunden können so die System-, die Betriebs- und die Gesamtbetriebskosten senken. Für neue Lösungen in einer energie-smarten Welt.

Verfügbarkeit

Die neuen 1200 V CoolSiC MOSFETs im TO247-Gehäuse können ab sofort bestellt werden, erhältlich sind sie in Standardlieferzeit. Die SMD-Varianten im D²PAK-7-Gehäuse mit denselben Einschaltwiderständen werden als Muster im vierten Quartal 2019 zur Verfügung stehen. Muster der 650 V CoolSiC MOSFETs im TO247-3- und TO247-4-Gehäuse mit Widerstandswerten zwischen 26 mΩ und 107 mΩ werden ebenfalls im vierten Quartal 2019 verfügbar sein. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/coolsic-mosfet.

Infineon auf der PCIM 2019

Auf der PCIM 2019 präsentiert Infineon innovative System-Lösungen für Anwendungen, die die Welt antreiben und die Zukunft gestalten. Die Demos von Infineon werden am Stand #313 in Halle 9 (Nürnberg, 7. bis 9. Mai 2019) präsentiert. Informationen zu den Highlights der PCIM sind erhältlich unter www.infineon.com/pcim.