Höhere Effizienz für DC-Ladesäulen und andere Industrieanwendungen: Neues CoolSiC™ Schottky 1200 V Gen5 Dioden-Portfolio von Infineon

München, 7. Mai 2019 – Die Infineon Technologies AG erweitert das CoolSiC™ Schottky 1200 V Gen5 Dioden-Portfolio um ein TO247-2-Gehäuse. Damit können Siliziumdioden einfach ersetzt und ein höherer Wirkungsgrad erzielt werden. Die verbesserten Kriech- und Luftstrecken von 8,7 mm bieten zusätzliche Sicherheit in Einsatzgebieten, in denen mit starker Verschmutzung zu rechnen ist. Für Ladesäulen mit Gleichstrom, Solarsysteme, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und andere industrielle Anwendungen stehen Durchlassströme bis zu 40 A zur Verfügung.

Im Vergleich zu einer Siliziumdiode steigert die CoolSiC Schottky 1200 V Gen5 Diode den Wirkungsgrad in Kombination mit Silizium-IGBTs oder Super-Junction-MOSFETs um bis zu einem Prozent – etwa bei Verwendung in dreiphasigen Gleichrichterschaltungen. Die Ausgangsleistung der PFC- und DC-DC-Stufen kann so deutlich um 40 Prozent oder mehr erhöht werden.

Neben den für SiC-Schottky-Dioden vernachlässigbaren Reverse-Recovery-Verlusten bietet das CoolSiC Schottky 1200 V G5 Dioden-Portfolio die beste Durchlassspannung (V _F), den geringsten Anstieg des V _F bei Temperatur und höchste Überstromfestigkeit. Das Portfolio bietet eine deutlich höhere Effizienz und Systemzuverlässigkeit. Die CoolSiC Schottky 1200 V Gen5 Diode mit 10 A Nennstrom kann somit eine 30 A Siliziumdiode einfach ersetzen – zu einem attraktiven Preis.

Verfügbarkeit

Die CoolSiC Schottky 1200 V Gen5 Dioden in einem TO247-2 Pin-Gehäuse können ab sofort bestellt werden. Es stehen fünf Stromklassen zur Verfügung: 10 A / 15 A / 20 A / 30 A / 40 A. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/sicdiodes1200v.