EiceDRIVER™ X3 Enhanced-Familie für höhere Design-Flexibilität und geringere Hardware-Komplexität

03.12.2020 | Market News

München, 3. Dezember 2020 – Die Infineon Technologies AG hat die EiceDRIVER™ Enhanced X3 Gate-Treiber ICs als analoge (1ED34xx) und digitale (1ED38xx) Version auf den Markt gebracht. Diese haben einen typischen Ausgangsstrom von 3, 6 und 9 A, eine präzise Kurzschlusserkennung, Miller-Clamp und Soft Turn-Off. Darüber hinaus bietet der 1ED34xx eine einstellbare Filterzeit für die Kurzschlusserkennung und einen Soft Turn-Off-Strom mit externen Widerständen. Das unterstützt schnelle Designzyklen aufgrund einer geringeren Anzahl externer Komponenten. Der 1ED38xx kann für mehrere Parameter über I 2C konfiguriert werden. Dies erhöht die Design-Flexibilität, reduziert die Hardware-Komplexität und verkürzt die Evaluierungszeit. Die Gate-Treiber eignen sich für industrielle Antriebe, Solaranlagen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Ladestationen für Elektroautos und andere industrielle Applikationen.

Die EiceDRIVER X3 Enhanced 1ED34xx- und 1ED38xx-Familien sind sowohl für IGBTs als auch für SiC- und Si-MOSFETs in diskreten und Modulgehäusen ausgelegt. Der Ausgangsstrom von bis zu 9 A macht externe Booster-Komponenten überflüssig. Eine außergewöhnliche CMTI-Robustheit von mehr als 200 kV/µs hilft, falsches Schaltverhalten zu vermeiden. Beide Familien zeichnen sich aus durch eine maximale Ausgangsversorgungsspannung von 40 V und eine geringe Laufzeitverzögerung von maximal 30 ns, was zu einer kürzeren Totzeit führt. Die I 2C-Konfigurierbarkeit des 1ED38xx umfasst Kurzschlusserkennung, Soft Turn-Off, Unterspannungsschutz (UVLO), Miller-Clamp und Abschaltung bei Übertemperatur. Diese Gate-Treiber-Familie bietet über die Software-Einstellungen auch eine zweistufige Abschaltung (TLTOff).

Die Treiberfamilien 1ED34xx und 1ED38xx werden in einem kleinen DSO-16-Fine-Pitch-Gehäuse mit 8 mm Kriechstrecke geliefert. Beide Treiber sind nach UL 1577 für 5,7 kV RMS zertifiziert, was zusammen mit präzisen Schwellwerten und Timings für höchste Anwendungssicherheit sorgt. Sie sind so designed, dass sie den rauen Umgebungsbedingungen von Industrieanwendungen standhalten.

Verfügbarkeit

Die EiceDRIVER X3 Enhanced 1ED34xx und 1ED38xx sowie das Evaluation Board EVAL-1ED3491MX12M können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/gdisolated.

Informationsnummer

INFIPC202012-024

Pressefotos

  • Die EiceDRIVER™ X3 Enhanced 1ED34xx- und 1ED38xx-Familien sind sowohl für IGBTs als auch für SiC- und Si-MOSFETs in diskreten und Modulgehäusen ausgelegt. Der Ausgangsstrom von bis zu 9 A macht externe Booster-Komponenten überflüssig. Eine außergewöhnliche CMTI-Robustheit von mehr als 200 kV/µs hilft, falsches Schaltverhalten zu vermeiden.
    Die EiceDRIVER™ X3 Enhanced 1ED34xx- und 1ED38xx-Familien sind sowohl für IGBTs als auch für SiC- und Si-MOSFETs in diskreten und Modulgehäusen ausgelegt. Der Ausgangsstrom von bis zu 9 A macht externe Booster-Komponenten überflüssig. Eine außergewöhnliche CMTI-Robustheit von mehr als 200 kV/µs hilft, falsches Schaltverhalten zu vermeiden.
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  • Die EiceDRIVER™ X3 Enhanced 1ED34xx- und 1ED38xx-Familien sind sowohl für IGBTs als auch für SiC- und Si-MOSFETs in diskreten und Modulgehäusen ausgelegt. Der Ausgangsstrom von bis zu 9 A macht externe Booster-Komponenten überflüssig. Eine außergewöhnliche CMTI-Robustheit von mehr als 200 kV/µs hilft, falsches Schaltverhalten zu vermeiden.
    Die EiceDRIVER™ X3 Enhanced 1ED34xx- und 1ED38xx-Familien sind sowohl für IGBTs als auch für SiC- und Si-MOSFETs in diskreten und Modulgehäusen ausgelegt. Der Ausgangsstrom von bis zu 9 A macht externe Booster-Komponenten überflüssig. Eine außergewöhnliche CMTI-Robustheit von mehr als 200 kV/µs hilft, falsches Schaltverhalten zu vermeiden.
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